它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。
光刻机该机可采用紫外光、深紫外光、甚至更短波长的极紫外光作为光源，用DMD数字微镜阵列替代传统掩模板，采用积木 错位蝇眼透镜实现高均匀照明。
该机可采用紫外光、深紫外光、甚至更短波长的极紫外光作为光源，用DMD数字微镜阵列替代传统掩模板，采用积木 错位蝇眼透镜实现高均匀照明，并配备了双目双视显微镜和CCD图象对准系统（可同时使用），拼接获得大面积图形，曝光设定采用微机控制，菜单界面友好，操作简便。
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。
分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。
光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。
对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。
曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。
曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。
分类光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动A 手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；B 半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；C 自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。